"GED 기술을 활용하면 기체 속 금속 입자를 무려 ppq(1,000조 분의 1) 단위까지 정밀하게 측정할 수 있습니다."

본래 대기 중의 금속 입자를 분석하기 위해 개발된 이 시스템은, 현재 그 성능을 인정받아 반도체 공정용 특수 가스 분석에까지 폭넓게 활용되고 있습니다.

사실 금속 원소를 측정할 때 ICP-MS만큼 예민하고 정확한 기술도 드뭅니다. 하지만 기존 방식은 액체 시료를 분무하는 형태이다 보니, 기체를 분석하려면 여과 및 버블링과 같은 번거로운 전처리가 필수였습니다. 이 과정에서 시간이 많이 걸릴 뿐만 아니라, 반도체 가스처럼 극미량(ppt 이하)의 불순물을 잡아내야 하는 경우에는 분석의 정밀도를 확보하기가 매우 까다로웠습니다.

Ar 기체를 플라즈마에 직접 주입하면 감도를 훨씬 높일 수 있지만, Ar 플라즈마의 특성상 다른 기체가 섞이면 상태가 불안정해지는 한계가 있었습니다. GED는 바로 이 문제를 '특수 멤브레인'으로 해결했습니다.

GED는 99.99% 이상의 높은 효율로 시료 가스를 아르곤 가스로 맞바꿉니다. 가스 분자는 걸러내고 금속 입자만 아르곤 흐름에 실어 플라즈마로 보내는 원리입니다. 덕분에 별도의 전처리 없이도 1 ppq 수준의 미세 금속불순물까지 실시간으로 직접 분석할 수 있게 되었습니다.